致力于加强光子芯片产业前沿技术和共性关键技术的研发，开展合作研发、委托加工的技术服务模式，与光子芯片领域相关企业，共同突破光子芯片产业链关键技术，同时，建设光子芯片产业创投孵化平台。

研发方向：

铌酸锂薄膜（LNOI）光子芯片

铌酸锂具有宽透明窗口、折射率适中、线性电光系数大、温度稳定性好等特点，且铌酸锂电光调制器占据了高速调制市场99%的份额，是制作高性能电光调制器的首选材料。随着2014年铌酸锂薄膜晶元的产业化，具有优良光学特性的铌酸锂在薄膜化后，为集成光学提供了一个有别于硅基的全新平台——LNOI（lithium niobate on insulator，绝缘体上铌酸锂）。LNOI材料在传统铌酸锂晶体特性的基础上，进一步实现了更高的光束缚能力、调制效率与集成密度，成为了光子芯片备受期待的“黑马”材料。